Numéro |
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 25, Numéro S6, juin 1964
|
|
---|---|---|
Page(s) | 108 - 110 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphysap:01964002506010800 |
DOI: 10.1051/jphysap:01964002506010800
Écarts à la loi d'Ohm présentés par des couches minces d'arseniure de gallium
S. MartinuzziFaculté des Sciences d'Alger
Abstract
This paper describes the determination of the validity of the extension of Ohm's law, for different temperatures of gallium arsenide thin films, versus applied electrical field. The validity of the extension decreases with increasing temperature and decreasing electrical resistivity, however this extension is sufficient in order to assure good electrical conductivity measurements.
Résumé
Ce travail a pour but de déterminer le domaine de validité de la loi d'Ohm, pour des couches minces d'arséniure de gallium portées à différentes températures, en fonction du champ électrique appliqué à ces couches. Ce domaine de validité apparaît d'autant plus restreint que la température des couches minces est élevée et leur résistance électrique faible, tout en restant suffisamment étendu pour ne pas perturber les mesures de conductibilité électrique.
7361E - III-V semiconductors.
Key words
electrical conductivity -- films -- gallium compounds -- semiconductor materials