Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 23, Numéro S6, juin 1962
Page(s) 117 - 120
DOI https://doi.org/10.1051/jphysap:01962002306011700
J. Phys. Phys. Appl. 23, 117-120 (1962)
DOI: 10.1051/jphysap:01962002306011700

Influence du courant de polarisation directe sur la conductance différentielle et le bruit de scintillation des diodes à pointe pour hyperfréquences

J. Munier

Laboratoire d'Électronique et de Radioélectricité, Faculté des Sciences de Grenoble


Abstract
The variation of incremental conductance with average forward current for several types of microwave silicon point-contact diodes was measured ; the results showed good agreement with the classical theory. Furthermore, the equivalent noise resistance was studied in the low-frequency spectrum and the noise temperature coefficient was derived. Its variation with average forward current and frequency agrees with the Van der Ziel law only for very small currents. When the current is increased, noise free conditions occur. Analogous results were obtained for a standard germanium point-contact diode.


Résumé
Les mesures effectuées sur divers types de diodes à pointe au silicium pour hyperfréquences montrent une variation de conductance différentielle en fonction du courant moyen direct en bon accord avec la théorie classique. Par ailleurs, la résistance équivalente de bruit a été mesurée dans le spectre basse fréquence ; on en déduit le coefficient de bruit propre de la diode. La variation de celui-ci en fonction du courant moyen direct et de la fréquence ne suit la loi de Van der Ziel que dans la zone des très faibles courants. Au delà, il apparaît un régime apaisé. Des résultats analogues ont été obtenus avec une diode à pointe au germanium pour usages courants.

PACS
8440D - Microwave circuits.

Key words
semiconductor diodes