Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 22, Numéro S2, février 1961
Page(s) 59 - 63
DOI https://doi.org/10.1051/jphysap:0196100220205900
J. Phys. Phys. Appl. 22, 59-63 (1961)
DOI: 10.1051/jphysap:0196100220205900

Détermination du profil de dopage en impuretés d'un transistor à partir des mesures de certaines de ses caractéristiques électriques

J.P. Biet


Abstract
A method of determining physical parameters of a transistor (such as resistivity of the base and the collector region, shape of the junctions, base width) is presented. This involves measurements of hybrid-pi-parameters as a function of collector voltage and current.


Résumé
La méthode exposée consiste à déduire du tableau des variations en fonction du courant et de la tension des éléments du schéma équivalent naturel, certains paramètres physiques tels que : résistivités de la base et du collecteur ; formes des jonctions ; épaisseur de la base.

PACS
8530 - Semiconductor devices.

Key words
transistors