| Numéro |
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 13, Numéro S7-9, juillet-août-septembre 1952
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| Page(s) | 129 - 130 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphysap:01952001307-9012900 | |
J. Phys. Phys. Appl. 13, 129-130 (1952)
DOI: 10.1051/jphysap:01952001307-9012900
Commissariat à l'Énergie atomique, Service de Physique nucléaire. Laboratoires du Fort de Châtillon, Fontenay-aux-Roses
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.
Key words
films
DOI: 10.1051/jphysap:01952001307-9012900
Métallisation uniforme de surfaces par évaporation thermique à partir d'une seule ou plusieurs sources émissives
P. Prugne et P. LégerCommissariat à l'Énergie atomique, Service de Physique nucléaire. Laboratoires du Fort de Châtillon, Fontenay-aux-Roses
Résumé
Description d'une méthode qui réalise la ligne circulaire émissive théorique par rotation de la cible, alors que la source reste fixe et ponctuelle.
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.
Key words
films