| Numéro |
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 13, Numéro S7-9, juillet-août-septembre 1952
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| Page(s) | 112 - 127 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphysap:01952001307-9011200 | |
J. Phys. Phys. Appl. 13, 112-127 (1952)
DOI: 10.1051/jphysap:01952001307-9011200
8430L - Amplifiers.
Key words
transistors
DOI: 10.1051/jphysap:01952001307-9011200
Intéraction de couches d'arrêts et déviations statistiques dans les cristaux à trois électrodes
H.F. Mataré Résumé
1. Généralités et historique. - 2. Caractéristiques et définitions. - 3. Courant d'interaction et états, de surface. - 4. Facteurs de bruit des résistances du schéma substitutif et calcul de la sensibilité. - 5. Explication du bruit élevé de la résistance d'interaction. - Appendice : Déduction de l'équation d'Einstein-Fokker-Plank pour le courant de diffusion.
8430L - Amplifiers.
Key words
transistors