Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 23, Numéro S12, décembre 1962
Page(s) 177 - 184
DOI https://doi.org/10.1051/jphysap:019620023012017700
J. Phys. Phys. Appl. 23, 177-184 (1962)
DOI: 10.1051/jphysap:019620023012017700

Analyse approchée du fonctionnement des dispositifs à effet de champ en région hypercritique

A.V.J. Martin1 et J. Le Mée2

1  E.E. Dpt, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, U.S.A.
2  M.E. Dpt, Carnegie Institute of Technology, Pittsburg, U.S.A.


Abstract
This work constitutes a first order analysis of the operation of field effect devices in the hypercritical field région, where the mobility is assumed to vary as E-1/2. Comparison with constant mobility theory, and between plane and cylindrical structure devices, is carried out. Conclusions are drawn as to the relative merits of planar and cylindrical geometries and also as to the desirability of operating field effect devices in the hypercritical région.


Résumé
Cette étude constitue une analyse approchée du fonctionnement des dispositifs à effet de champ dans la région hypercritique, où l'on admet que la mobilité varie comme E-1/2. On effectue la comparaison avec le cas de la mobilité constante et entre les géométries plane et cylindrique. On présente les conclusions relatives aux avantages comparés des géométries plane et cylindrique, et aussi quant à l'opportunité de faire fonctionner les dispositifs en régime hypercritique.

PACS
8530T - Field effect devices.

Key words
semiconductor devices