Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 22, Numéro S6, juin 1961
Page(s) 100 - 102
DOI https://doi.org/10.1051/jphysap:01961002206010000
J. Phys. Phys. Appl. 22, 100-102 (1961)
DOI: 10.1051/jphysap:01961002206010000

Détermination à partir de mesures électriques de la concentration en impuretés de la base d'un transistor basse fréquence au germanium

J.P. Biet

Ingénieur civil des Télécommunications


Abstract
A method of determining the concentration of impurities in the base region using the relation between collector current and base-emitter voltage is presented. In order to eliminate influence of temperature, an experimental operating mode is given.


Résumé
La méthode exposée consiste à utiliser la relation entre le courant collecteur et la tension émetteur-base pour déterminer la concentration en impuretés de la base. Une des particularités de la méthode consiste à s'affranchir du facteur température grâce à un mode opératoire approprié.

PACS
8170 - Methods of materials testing and analysis.
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.

Key words
characteristics measurement -- transistors