Détermination à partir de mesures électriques de la concentration en impuretés de la base d'un transistor basse fréquence au germanium

Abstract
A method of determining the concentration of impurities in the base region using the relation between collector current and base-emitter voltage is presented. In order to eliminate influence of temperature, an experimental operating mode is given.

Résumé
La méthode exposée consiste à utiliser la relation entre le courant collecteur et la tension émetteur-base pour déterminer la concentration en impuretés de la base. Une des particularités de la méthode consiste à s'affranchir du facteur température grâce à un mode opératoire approprié.