Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 22, Numéro S2, février 1961
Page(s) 1 - 12
DOI https://doi.org/10.1051/jphysap:019610022020100
J. Phys. Phys. Appl. 22, 1-12 (1961)
DOI: 10.1051/jphysap:019610022020100

Analyse graphique du fonctionnement du tecnetron. Première Partie

A.V.J. Martin et J. Le Mée


Abstract
The tecnetron is a semiconductor amplifying device. It uses the centripetal striction due to the field effect applied to a cylindrical structure and embodies one metal-tosemiconductor rectifying contact. The present paper is an analysis of its operation in the subcritical field region, where the carrier mobility can be considered as constant. It is mainly graphical and is a second approximation of an analytic theory due to A. V. J. Martin, préviously published in this Journal. A set of universal curves giving the main characteristics of the device is deduced. Comparaison is made between preceding theories and the present study.


Résumé
Le tecnetron est un amplificateur à semiconducteur utilisant l'effet de champ. La présente étude est une analyse de son fonctionnement dans le régime sous-critique, où la mobilité des porteurs peut être considérée comme constante. Elle est principalement graphique et constitue une seconde approximation d'une théorie purement analytique due à A. V. J. Martin et précédemment publiée dans ce Journal. Une série de courbes universelles donnant les principales caractéristiques du dispositif est présentée. La comparaison entre les théories précédentes et la présente étude est effectuée. Des formules empiriques simples sont déduites, donnant avec une bonne approximation les valeurs des paramètres.

PACS
8430L - Amplifiers.
8530K - Junction diodes.

Key words
semiconductor devices