Numéro
J. Phys. Phys. Appl.
Volume 13, Numéro S7-9, juillet-août-septembre 1952
Page(s) 129 - 130
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jphysap:01952001307-9012900
J. Phys. Phys. Appl. 13, 129-130 (1952)
DOI: 10.1051/jphysap:01952001307-9012900

Métallisation uniforme de surfaces par évaporation thermique à partir d'une seule ou plusieurs sources émissives

P. Prugne et P. Léger

Commissariat à l'Énergie atomique, Service de Physique nucléaire. Laboratoires du Fort de Châtillon, Fontenay-aux-Roses


Résumé
Description d'une méthode qui réalise la ligne circulaire émissive théorique par rotation de la cible, alors que la source reste fixe et ponctuelle.

PACS
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.

Key words
films